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第六章金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

本文檔由 10090 分享于2008-08-07 19:45

在的P型Si<111>襯底上制成一鋁柵MOS晶體管。柵氧化層厚度為120nm，表面電荷密度為 .(a) 一溝道MOS晶體管制造在的N型襯底上，柵氧化層厚度為，若，以及計算閾值電壓
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晶體管 MOS 電荷 襯底 閾值 電壓 平帶 電流 電勢 習(xí)題
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晶體管 embed 半導(dǎo)體場效應(yīng) 氧化物 溝道 襯底
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